本周HBM价值链重构与中国技术出口管制升级成为两大主线。10月19日,据多家媒体报道,三星电子将采用台积电3nm工艺为英伟达下一代定制HBM(NVHBM)生产基底裸片,这是三星首次与台积电在HBM制造阶段合作,英伟达要求三星、SK海力士、美光统一采用台积电3nm工艺以确保性能一致性。政策方面,10月16日商务部、科技部发布公告,拟修订《中国禁止出口限制出口技术目录》,拟增列40项技术(其中23项与AI相关),14nm及以下AI芯片设计、2.5D/3D封装、先进3D存储设计技术首次纳入管控。业绩方面,长鑫科技前三季度营收同比增逾7倍、净利1310亿至1325亿元扭亏为盈,沐曦股份营收预增105%-151%扭亏,海光信息Q3营收同比增长45.46%。产业链动态方面,英伟达与6家上游供应商合作扩产AI基础设施产能,SK海力士旗下Solidigm赴纳斯达克IPO引发韩国监管争议。
三星罕见"牵手"台积电!3nm代工英伟达HBM基底裸片,HBM价值链重构
10月19日,据多家媒体报道,三星电子计划采用台积电3nm工艺为英伟达下一代定制高带宽内存(NVHBM)生产基底裸片,核心信息:
- ●三方合作:英伟达要求三星、SK海力士、美光在NVHBM基底裸片生产中统一采用台积电3nm工艺,以确保性能一致性;三星将首次在HBM制造阶段与台积电展开合作
- ●良率关键:据业内人士估计,台积电3nm工艺良率超过90%,而三星晶圆代工2nm SF2工艺良率约为60%;对英伟达而言,将基底裸片生产集中在台积电是更稳定的选择
- ●技术含义:基底裸片(Base Die)是HBM的核心组件,承载逻辑与I/O电路,与存储堆叠颗粒共同构成HBM;其先进制程化使HBM价值链与逻辑代工深度绑定
- ●行业影响:此举标志着HBM制造格局发生结构性变化:HBM基底裸片从各家自研转向统一先进制程代工,台积电向HBM价值链纵深渗透
- ●市场反应:消息发布后,台积电(TSM.US)盘前涨超3%,市场对先进制程绑定HBM的估值逻辑给予积极回应
处于HBM供应链的制造与先进制程交叉环节,重构沿产业链逐级传导:
- ▲上游:台积电3nm先进制程代工(基底裸片)、HBM存储颗粒制造(三星/SK海力士/美光)、先进封装材料与设备
- ▼中游:HBM集成与堆叠封装(C2W/W2W键合)、AI加速卡集成,基底裸片制程统一化重塑HBM良率与成本结构
- ●下游:英伟达GPU(Vera Rubin平台等)与AI服务器,HBM供应稳定性直接影响AI算力交付节奏
沿产业链逐级传导,对各环节影响深远:
- ■先进制程端:HBM基底裸片先进制程化,为台积电3nm开辟HBM新增长极,先进制程议价权进一步增强;"存储+逻辑"代工协同成为AI芯片供应链新常态
- ■存储制造端:三星、SK海力士、美光的HBM制造开始绑定外部代工,存储原厂在基底裸片环节的自主性下降,HBM竞争焦点转向颗粒技术与封装整合
- ■AI算力端:英伟达主导供应链标准化以保障HBM性能一致性与供应稳定,AI算力供应链向"平台化整合"演进
- ■国内产业视角:HBM基底裸片绑定先进制程,凸显"存储+逻辑+先进封装"协同攻关的紧迫性;国产HBM与先进制程协同发展路径进一步清晰
- ■关务视角:HBM晶圆与成品的进出口归类、管制要求与关税安排将随供应链结构变化调整,HBM相关物项的监管口径成为关务合规新焦点
HBM基底裸片
英伟达选择关键
良率对比
HBM阶段合作
适配Vera Rubin等下一代AI平台,要求HBM性能一致性与供应稳定,倒逼基底裸片制造标准化
三星、SK海力士、美光提供HBM颗粒;基底裸片(承载逻辑与I/O)转向统一先进制程代工,三星首次与台积电在HBM阶段合作
台积电3nm良率超90%(三星SF2约60%),承接HBM基底裸片代工,先进制程向HBM价值链纵深渗透,代工议价权进一步增强
HBM价值链"逻辑先进制程化"重构:存储原厂在基底裸片环节自主性下降,竞争焦点转向颗粒技术与封装整合;台积电新增HBM增长极;国产"存储+逻辑+先进封装"协同攻关紧迫性提升
动态一 | 中国拟修订《禁止出口限制出口技术目录》,AI芯片设计技术首次纳入管控
10月16日,商务部、科技部发布2026年第48号公告,拟修订《中国禁止出口限制出口技术目录》并公开征求意见,同步实施出口前登记管理,核心信息:
- ●增列范围:拟增列40项技术,涵盖人工智能、生物医药、光伏三大领域,其中23项与人工智能相关
- ●芯片设计管控:AI处理器芯片设计技术(采用14nm及以下制程、2.5D/3D封装或非冯诺依曼架构)以及先进3D闪存与存储芯片设计技术拟纳入限制出口范围
- ●实施节奏:公告同步对相关技术实施出口前登记管理的临时措施,面向社会公开征求意见
- ●政策背景:依据《对外贸易法》和《技术进出口管理条例》,旨在统筹发展与安全,完善技术出口管理制度
- ●国际动向:同期台湾地区拟将人工智能服务器与先进半导体纳入对大陆出口管理清单,技术管制双向趋严
处于技术出口与知识产权管制的政策环节,影响芯片设计全链条:
- ▲上游:芯片设计工具(EDA)、IP授权与设计服务,技术know-how出口管制影响跨境合作模式
- ▼中游:AI芯片设计企业(14nm以下、2.5D/3D封装、非冯诺依曼架构)、3D闪存与存储芯片设计
- ●下游:晶圆代工、封装测试、整机系统,出口登记与许可要求影响跨境供应链安排
- ■芯片设计know-how首次大规模纳入出口管控,先进AI芯片设计与3D存储设计技术的跨境转让、许可与合作模式面临更严格审查
- ■出口前登记管理增加企业合规成本与流程周期,涉及技术出口的企业需提前评估许可路径与登记要求
- ■与台湾地区拟对AI服务器及先进半导体设限形成呼应,全球半导体技术管制双向趋严,跨境供应链布局需要重新评估
- ■关务视角:技术出口(软件、图纸、know-how)与货物出口的监管口径衔接成为关键,两用物项管理与技术出口许可的协同审查需求上升
动态二 | 长鑫科技前三季度营收同比增逾7倍,净利1310亿至1325亿元扭亏为盈
10月19日至20日,长鑫科技披露2026年前三季度业绩预告,业绩爆发式增长,核心信息:
- ●营收:前三季度预计实现营业收入2650亿至2700亿元,同比增长超7倍
- ●净利:归母净利润1310亿至1325亿元,实现同比扭亏为盈,盈利规模创历史新高
- ●驱动因素:行业景气度上行、两大晶圆厂保持高产能利用率、产品结构持续优化
- ●股东会表态:公司对DRAM行业保持长期信心,持续看好存储超级周期下的供需格局
- ●机构关注:业绩预告发布后,多家头部券商研究机构及资深半导体产业人士对存储行业前景给予高度关注
处于国产DRAM存储制造龙头环节,业绩爆发沿产业链传导:
- ▲上游:存储设备(刻蚀、薄膜沉积、混合键合)、硅片、光刻胶等国产供应链,扩产带动设备材料订单
- ▼中游:长鑫DRAM晶圆制造(G5平台量产、4F²架构研发),全球第四大DRAM厂商
- ●下游:AI服务器、数据中心、智能手机、PC等,DDR5/LPDDR5X需求持续放量
- ■营收增逾7倍、净利1310亿元以上,标志国产存储龙头进入规模盈利新阶段,AI存储超级周期红利充分兑现
- ■高产能利用率+产品结构优化(DDR5/LPDDR5X占比提升),国产高端存储替代加速,全球DRAM市场份额持续提升
- ■G5平台量产与4F²架构突破支撑长期技术竞争力,国产存储从"规模扩张"迈向"技术领先"
- ■关务视角:高端存储芯片进出口量价齐升,DDR5/LPDDR5X的HS归类、原产地认定与口岸查验时效,成为存储供应链关键变量
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英伟达与6家上游供应商合作扩产,三星电机加入封装基板供应链
事件:10月22日,英伟达宣布与6家上游供应商合作提升AI基础设施产能,将带来2倍的额外产能,预计2028年第一季度起逐步上线。三星电机(SEM)将加入英伟达基板供应链并立即启动出货,本次合作将支持三星电机在世宗、釜山的工厂升级和新建项目,预计到2028年英伟达将在三星电机封装基板产能中分得相当大部分;英伟达还以产能预留协议支持欣兴电子等基板厂商扩产
定位:AI芯片封装基板与算力基础设施供应链环节
影响:AI基础设施产能扩张提速,封装基板(ABF载板)供应链显著扩容;韩国、台湾基板厂商深度绑定英伟达供应链,2028年产能提前锁定;AI算力交付瓶颈从芯片制造向封装基板与载板环节延伸
来源:IT之家、新浪财经 -
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沐曦股份前三季度营收预增105%-151%,国产GPU首次实现扭亏为盈
事件:10月19日,沐曦股份发布2026年前三季度业绩预告:预计营业收入25.41亿至31.06亿元,同比增长105.60%至151.29%;归母净利润5.87亿至7.17亿元,较上年同期实现扭亏为盈。营收与利润双增长,标志国产GPU在AI算力需求拉动下进入放量盈利阶段
定位:国产GPU(通用计算)设计龙头,覆盖AI训练与推理算力
影响:国产GPU规模化放量并首次扭亏,AI算力国产替代进入盈利兑现期;大模型推理与训练需求拉动国产算力芯片出货;带动国产GPU生态与配套供应链(先进封装、HBM)协同发展
来源:快科技、沐曦股份业绩预告 -
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海光信息三季报:Q3营收58.56亿元同比+45.46%,国产CPU景气延续
事件:10月19日晚,国产CPU龙头海光信息发布2026年三季报:第三季度实现营业收入58.56亿元,同比增长45.46%;归母净利润10.48亿元,同比增长37.90%;前三季度累计营业收入149.55亿元,同比增长57.58%,归母净利润28亿元以上,业绩延续高增长
定位:国产x86架构CPU与DCU(协处理器)设计龙头
影响:国产CPU/DCU在服务器与AI算力市场渗透率持续提升,信创与AI双轮驱动业绩高增;国产算力芯片从"可用"走向"好用",带动主板、内存、服务器整机国产供应链放量
来源:证券时报、海光信息三季报 -
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SK海力士旗下Solidigm赴纳斯达克IPO,引韩国监管"双重上市"争议
事件:10月22日,据证券行业消息,SK海力士正评估旗下美国闪存子公司Solidigm赴纳斯达克上市事宜,考虑由摩根士丹利、高盛担任主承销商。韩国金融监督院院长李灿珍罕见表态称该上市方案"有可能落入双重上市监管范畴",叫停相关进程;韩议员称"上市之日将是韩股末日"。市场关注潜在监管处罚及其实际效力,金融监管口头干预可能迫使企业撤回上市计划
定位:企业级SSD与存储解决方案环节,SK海力士旗下美国子公司
影响:Solidigm若完成IPO有望成为美股半导体领域大型IPO,企业级SSD业务价值重估;韩国监管"双重上市"争议反映跨境资本运作与本土监管的张力;全球存储巨头资本运作与业务分拆趋势值得关注
来源:新浪财经、今日头条 -
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硅基量子芯片上游材料突破:硅-28硅烷特气与外延片首次发布
事件:10月22日,硅及先进半导体材料全国重点实验室、浙江大学杭州国际科创中心量子信息硅团队首次发布硅-28硅烷特气与外延片两项成果,硅-28同位素纯度超过99.99%,为硅基量子芯片研发补上关键上游材料。团队由中国科学院院士杨德仁与余林蔚教授带领,该成果是国家级课题项目"量子信息硅-28同位素外延片制备及应用"的重要阶段性进展
定位:量子计算上游核心材料环节,硅-28同位素材料是硅基量子芯片的基础
影响:硅-28同位素材料国产化突破,为硅基量子芯片(自旋量子比特)规模化制备提供材料基础;半导体材料向量子领域延伸,高端同位素材料国产自主可控进程加速
来源:小鱼新闻、浙江大学杭州国际科创中心
表1 HBM基底裸片供应链关键指标(NVHBM路径)
表2 国产算力芯片龙头2026年前三季度业绩一览
注:具体数据以各来源官方披露为准;涉及资质与合规信息如有出入,以主管部门公示为最终依据。





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