壹周要闻

长鑫G5第五代DRAM平台量产，11.95nm制程比肩全球顶尖，国产高端存储进入旗舰手机

9月20日，长鑫存储在2026世界制造业大会上正式宣布第五代DRAM技术平台（G5平台）实现量产，同步展出基于该平台的大容量LPDDR5X新品，核心信息：

• ●制程突破：依托创新的四重曝光（Quadruple Patterning）技术，将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，工艺水平比肩行业顶尖量产工艺节点
• ●产品量产：两款基于G5平台的24Gb LPDDR5X产品均已进入规模量产，单颗容量较上一代同类型产品提升50%，分别采用496Ball、245Ball封装规格
• ●终端突破：搭载该产品的全球首款AI智能体手机努比亚NaviX Ultra同期发售，标志着国产高端存储芯片首次进入主流旗舰手机供应链
• ●LPDDR6首发：大会同期首次公开展示已量产的LPDDR6内存，长鑫在下一代移动存储标准上实现全球抢跑
• ●技术路线：G5平台是长鑫跳代研发策略的重要成果，从第一代到第四代已完成量产迭代，G5量产标志着国产DRAM跻身全球顶尖量产工艺第一梯队

处于DRAM存储芯片制造核心环节，技术节点突破带动全产业链升级：

• ▲上游：DRAM制造设备（刻蚀、光刻、薄膜沉积）、硅片、光刻胶、特种气体等材料，DUV多重曝光工艺设备需求增长
• ▼中游：长鑫G5平台DRAM晶圆制造，覆盖LPDDR5X、LPDDR6等高端移动存储，与三星、SK海力士、美光形成全球四极格局
• ●下游：旗舰智能手机、AI智能体终端、服务器、PC等，国产存储进入高端消费电子供应链

沿产业链逐级传导，对各环节影响深远：

• ■上游设备材料端：G5平台采用四重曝光技术，对高端刻蚀机、光刻胶、光掩模的需求持续增长，国产DRAM设备验证导入机会增加
• ■中游存储制造端：国产DRAM制程从跟跑到并跑，全球存储市场"三国演义"变"四国杀"，高端存储价格竞争有望加剧，国内供应链韧性增强
• ■下游终端应用端：国产高端存储进入旗舰手机供应链，手机厂商存储采购多元化，降低对海外存储巨头的依赖，AI智能体终端普及加速
• ■国内产业视角：G5量产突破DUV极限，证明国内在无EUV条件下通过多重曝光实现先进制程的可行性，为其他半导体领域技术突破提供路径参考
• ■关务视角：高端DRAM芯片进出口量将持续增长，存储芯片的HS归类、原产地认定、减免税适用及口岸查验时效，正成为存储供应链的关键变量

动态一 | 佰维存储45亿元加码晶圆级先进封测，东莞松山湖三期项目落地

9月21日，佰维存储公告，公司及控股子公司广东芯成汉奇半导体拟与东莞松山湖高新区管委会签订《晶圆级先进封测制造项目三期合作协议》，核心信息：

• ●投资规模：项目总投资约45亿元，其中固定资产投资40亿元，包括建筑物、构筑物及其附属设施、设备投资等
• ●建设地点：东莞松山湖高新技术产业开发区，不涉及新增用地，利用现有场地扩建
• ●建设内容：晶圆级先进封测制造项目三期，进一步扩大先进封装测试产能，提升存储芯片封测能力
• ●完成时间：预计在2029年12月31日之前完成固定资产投资额
• ●审批进展：项目已于9月21日经公司第四届董事会第二十三次会议审议通过，在董事会审批权限范围内

处于存储芯片先进封装测试环节，上下游传导链路：

• ▲上游：晶圆级封装设备、封装材料（基板、键合丝、塑封料）、测试设备
• ▼下游：存储芯片（DRAM、NAND、嵌入式存储）、AIoT终端、智能手机、服务器等

• ■存储芯片先进封测产能持续扩张，匹配国内存储晶圆制造产能增长，封测环节国产配套能力增强
• ■晶圆级先进封装是存储芯片小型化、高集成度的关键技术，扩产有助于国内存储厂商在高端产品上提升竞争力
• ■东莞松山湖半导体产业集群进一步完善，封测产能集聚效应增强，带动上下游配套企业发展
• ■先进封测设备与材料需求增长，国产封测设备、封装材料厂商迎来更多验证与导入机会

动态二 | 台积电确定2027年1月起代工涨价3%-6%，先进制程领涨，订单能见度至2030年

9月24日，据DIGITIMES援引供应链人士报道，台积电已确定自2027年1月起调整晶圆出片（Wafer Out）价格，核心信息：

• ●涨价幅度：整体涨幅约3%-6%，其中2nm、3nm等先进制程涨幅较高；成熟及特殊制程依产品、产能利用率及客户状况个别议价
• ●产能状态：8寸厂产能利用率超过100%，45nm以下制程满载，整体产能处于紧张状态
• ●订单能见度：供应链人士透露台积电订单能见度已至2030年，反映AI芯片需求持续旺盛
• ●美国厂报价：美国亚利桑那州厂继续反映高昂制造成本，代工报价维持高档
• ●公司回应：台积电未回应市场传闻，强调价格策略依公司公告为准

处于晶圆代工定价环节，影响全产业链成本传导：

• ▲上游：晶圆制造设备、材料供应商，产能紧张带动上游需求持续增长
• ▼中游：台积电晶圆代工定价，传导至芯片设计公司的制造成本
• ●下游：AI芯片、智能手机、PC、服务器等终端产品，芯片成本上升可能传导至终端售价

• ■台积电连续涨价反映先进制程产能紧缺格局持续，AI芯片需求旺盛是核心驱动力，订单能见度至2030年显示行业景气周期延长
• ■芯片设计公司制造成本上升，苹果、英伟达、AMD等大客户采购成本增加，可能部分传导至终端产品售价
• ■国内晶圆代工企业（中芯国际、华虹）在成熟制程领域具备价格竞争力，台积电涨价有助于国内代工厂提升议价能力和市场份额
• ■关务视角：晶圆代工价格上涨带动芯片进口成本上升，芯片的HS归类、完税价格认定、减免税适用对进口成本影响加大

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  华虹FAB9B项目获25.36亿元国开行政策性金融工具专项投资

  事件：9月17日，无锡市高新区创业投资控股集团获得国家开发银行新型政策性金融工具支持，落地资金25.36亿元，专项投资于华虹FAB9B（华虹三期）项目建设。该笔资金是无锡市2026年首笔新型政策性金融工具借款，也是江苏省今年单笔规模最大的政策性金融工具借款。华虹三期规划建设月产能5.5万片的12英寸特色工艺晶圆代工产线

  定位：12英寸特色工艺晶圆制造环节，聚焦功率器件、模拟芯片、嵌入式存储

  影响：政策性金融工具支持重大半导体项目建设，华虹三期产能建设资金保障增强；12英寸特色工艺产能持续扩张，功率器件与模拟芯片国产替代加速

  来源：无锡发布、新浪财经、财联社、广东省半导体行业协会
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  礼鼎半导体120亿元先进IC载板基地落地深圳宝安，聚焦FCBGA高阶载板

  事件：9月19日，礼鼎半导体第二园区先进IC载板数智化制造基地在深圳宝安区正式落地动工。项目计划总投资不低于120亿元，规划占地面积约15.72公顷，分两期建设数座现代化工厂，重点布局FCBGA等IC载板产品，面向人工智能、高性能计算及网络通信等应用领域。礼鼎是国内少数实现高阶FCBGA载板量产的本土厂商

  定位：半导体先进封装载板环节，FCBGA载板是AI芯片、高性能计算芯片的核心封装基材

  影响：国内高阶FCBGA载板产能持续扩张，补齐先进封装载板国产短板；AI算力硬件对高端载板需求爆发，深圳半导体产业集群向高阶化迈进

  来源：深圳宝安区政府、集邦咨询、腾讯新闻、同花顺
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  格科微61.32亿元扩产12英寸CIS，上海临港新增月产1万片

  事件：9月21日，集邦咨询报道，格科半导体（上海）有限公司12英寸CIS集成电路特色工艺扩产项目总投资61.32亿元，拟使用募集资金30亿元，建设期3年，建设地点位于上海临港产业区。项目基于格科微现有12英寸CIS研发及晶圆制造平台，新增月产1万片CIS图像传感器生产能力

  定位：12英寸CIS图像传感器晶圆制造环节，特色工艺代工

  影响：国内CIS图像传感器产能持续扩张，格科微自有的12英寸晶圆制造能力增强；CIS国产替代进程加速，手机、汽车、安防等领域图像传感器供给增加

  来源：集邦咨询、新浪财经、格科微公告
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  京东方玻璃基封装载板试验线全线拉通，一年内敲定量产线投资

  事件：9月22日，京东方董事长陈炎顺宣布，明确未来一年内将敲定玻璃基封装载板量产线的投资计划。公司近期接受机构调研时表示，玻璃基封装载板试验线已全线拉通。同期，英特尔正评估携手光电显示面板大厂友达，推动以Micro LED与玻璃基板为核心的先进封装技术合作

  定位：半导体先进封装材料环节，玻璃基板是下一代先进封装的核心基材之一

  影响：玻璃基封装载板技术取得突破，国内面板厂商跨界进入半导体先进封装材料领域；玻璃基板有望突破传统有机基板的性能瓶颈，为AI芯片先进封装提供新方案

  来源：财联社、科创板日报、集微网
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  粤芯半导体9月24日正式申购，大湾区12英寸特色工艺第一股登陆创业板

  事件：9月24日，粤芯半导体创业板IPO正式启动网下与网上申购，公开发行股票5.13亿股（超额配售前），初步询价已于9月18日完成。公司是广东省首家实现12英寸晶圆量产的企业，现有两座12英寸晶圆厂，规划合计月产能8万片，四期项目落地后总月产能将扩容至12万片，聚焦模拟芯片、功率器件等特色工艺

  定位：12英寸模拟特色工艺晶圆制造环节，大湾区半导体制造核心企业

  影响：大湾区半导体制造产业迎来首家12英寸晶圆代工上市公司，特色工艺产能持续扩张；模拟芯片、功率器件国产替代进程加速，珠三角半导体产业链配套能力增强

  来源：粤芯半导体发行公告、证券时报、上海证券报

表1　全球主要DRAM厂商制程节点对比（2026年）

表2　本周国内半导体重大投资项目汇总（9.19-9.24）

注：具体数据以各来源官方披露为准；涉及资质与合规信息如有出入，以主管部门公示为最终依据。