美韩就对美投资开展博弈，传美方施压三星、SK 海力士赴美布局存储产线，韩国面临本土扩产与对美谈判双重压力

据韩国《中央日报》等媒体援引执政党匿名消息人士报道，韩国原计划 8 月底公布首个对美战略投资项目，但谈判进程出现变数，消息称美方希望韩国将存储芯片工厂投资纳入对美投资选项。7 月 9 日，美国商务部长霍华德・卢特尼克曾公开点名三星电子、SK 海力士，呼吁两家存储巨头在美国开展生产布局。报道提及，韩国方面最初倾向将能源项目作为首笔对美投资。但上述媒体援引的消息表示，美方提出新增诉求，改变了谈判的优先方向。不过韩国总统府后续对外澄清：“将存储芯片作为首个对美战略投资候选项目的说法并不属实”，同时确认韩美双方确实正在开展投资磋商，但未披露谈判的具体细节。就在该轮谈判前后，三星电子与 SK 海力士宣布计划在韩国湖南地区投入超过 800 万亿韩元（按市场汇率测算约合 5650 亿美元）推进本土存储产能建设。行业观点认为，如果韩企再承接美国大规模存储产线投资，企业资金、人力资源将面临较大压力。同时存储行业投资回报周期长、价格周期性波动显著，美国本土建厂与运营成本偏高，商业落地存在现实挑战。市场分析担忧，在双边谈判僵持的背景下，美方存在重新上调韩国商品汽车关税的可能性，但截至目前美方尚未就此发出正式通知。为推进谈判，韩国产业通商资源部长官金正冠于 8 月中旬紧急赴美开展磋商。

Socionext引入英特尔18A-P制程开发定制SoC，英特尔代工再获日本ASIC大厂订单

8月18日，索喜科技（Socionext）宣布将采用英特尔18A-P制程技术开发定制SoC，以满足数据中心、边缘计算及高性能计算客户的新兴需求。Socionext将自身ASIC专长与英特尔代工的先进制程及封装路线图相结合，助力客户打造针对特定应用工作负载优化的差异化SoC解决方案。据了解，首个开发项目为一款高性能计算芯粒。Socionext是日本领先的SoC设计公司，由富士通与松下旗下的芯片设计部门合并而成，在视频图像处理、网络通信和高性能计算等领域拥有深厚的技术积累。

台积电成功开发并验证A16背面供电技术，A16制程预计四季度量产

8月20日，据ETNews报道，业界消息人士透露，台积电已成功开发并验证A16先进制程背面供电技术。技术突破的关键在于A16仍保有台积电N2制程强化版N2P的闸极密度与NanoFlex设计弹性。报道指出，A16将供电路径完整移至芯片背面，并通过专用接点（VB）直接连接晶体管的源极与汲极。在此架构下，台积电仅对芯片正面的闸极结构、单元尺寸及布局面积进行“最小”幅度调整，因此仍能维持与既有芯片设计的相容性。在能效方面，A16相较N2P，在同等功耗条件下运算速度可提高8%至10%，若要维持相同速度，功耗则可降低15%至20%，同时芯片密度提升8%至10%，尤其适合AI加速器和高性能计算等对运算效能和功耗有较高要求的芯片。据了解，A16预计于今年四季度开始量产。

AMD公布AI机柜能效路线图：2030年两台新机柜算力抵570台MI300X，功耗降至1/20AMD

近期公布机柜级AI方案的能效展望，提出一组极具冲击力的数据：到2030年，仅需两台新一代AI机柜，即可实现约570台MI300X机柜的算力，业务运行阶段耗电量可降至原来的二十分之一。AMD在官方新闻稿中表示，截至2026年年中，AI算力能效已提升4倍，超出原定3倍的阶段目标，也较行业历史发展趋势高出一倍以上。企业正稳步推进2030规划，实现机柜级别AI训练、推理综合能效提升20倍。这套目标依靠多条技术路径落地：采用先进工艺在新一代AI处理器内部集成更多晶体管；将HBM进一步向计算核心靠拢；依托UALink高速机柜互联实现芯片之间实时负载分担；同时优化软件堆栈削减无效后台计算带来的电力损耗。AMD已经落地高密度机柜产品Helios，搭载Instinct MI455X GPU、第六代EPYC处理器、Pensando AI网卡与DPU，配套Infinity Fabric互联架构及ROCm软件栈。

长电科技高深宽比TSV研发取得突破，1.5微米孔径支撑2.5D/3D先进封装

8月19日，长电科技宣布在高深宽比先进TSV（硅通孔）技术研发方面取得重要进展，并与合作伙伴共同完成样品试制。此次样品试制围绕深硅刻蚀、孔壁绝缘层沉积、阻挡层与种子层沉积、铜填充等关键工艺展开，制备的TSV孔径为1.5微米、深度为17微米，深宽比达到11.3:1。长电科技的TSV制备方案面向2.5D/3D先进封装、硅基互连和多维异质异构集成等高端先进封装应用，旨在进一步增强公司在微系统集成平台中的关键底层工艺能力，为高算力、高存储芯片的系统级集成提供更加完整、灵活的一站式制造支撑。从应用方向看，高深宽比TSV研发能力可重点支撑3D堆叠集成和硅中介层等两类高端先进封装场景。

中微公司拟投建临港产业化基地二期项目，总投资35亿元聚焦核心设备扩产

8月19日，中微公司公告称，公司全资子公司中微临港拟在临港新片区投资建设中微临港产业化基地（二期）项目，计划总投资35亿元，其中固定资产投资17亿元。项目聚焦刻蚀设备、量检测设备、薄膜沉积设备等优势产品，达产后预计可实现年销售收入30亿元。同日，中微公司发布2026年半年度报告，实现营业收入66.91亿元，同比增长34.89%；归属于上市公司股东的净利润28.25亿元，同比增长300.22%；扣非净利润11.23亿元，同比增长108.36%。研发方面，上半年公司研发投入20.41亿元，同比增长36.89%，研发投入占营业收入比例约为30.52%。中微公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，在先进逻辑器件和先进存储器件中多种关键刻蚀工艺实现大规模量产。截至2026年6月底，中微公司已开发出54种高端半导体设备，累计超过8000个反应台在国内外220余条生产线实现量产。

华海清科新一代双工作台划切装备Versatile-DT300D首台出机，发往国内先进存储龙头企业

8月19日，华海清科新一代双工作台高效划切装备Versatile-DT300D首台装备正式出机，发往国内先进存储龙头企业。该装备针对存储芯片、先进封装、图像传感器等应用场景进行了定制化开发。Versatile-DT300D搭载创新的双工作台全自动切割模块，集成高效传输与高洁净清洗系统，在保障加工一致性的同时显著提升单位时间产出效率，且具备优异的清洗能力。其智能量测模块进一步拓展了切割量测与缺陷检测范围，使晶圆在划切环节即可获得更全面的质量监控，帮助客户降低缺陷风险、提升良率。装备自主集成的智能控制软件支持全流程数据追溯与智能分析，可无缝接入产线智能制造平台，帮助半导体工厂实现良率精准管控与数据透明化，充分满足先进制程与先进封装对晶圆处理的严苛要求。