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市场动态（8月5日）

传美国 FCC 起草新规拟限制进口中国新型高速光模块，供应链相互依存下或引发反噬效应

据媒体报道，美国联邦通信委员会（FCC）正在起草内部管制草案，计划限制进口产自中国的新一代高速数据中心光收发模块，管制对象聚焦 1.6T、3.2T 等 AI 算力集群新型产品，存量已完成认证的 800G 成熟型号暂不受约束，目前草案尚未正式发布，仍存在修改、缩减甚至搁置的可能性，地缘科技博弈正从芯片制造向光通信基础设施蔓延。中国光模块制造商（包括中际旭创、新易盛、光迅科技、华工正源等）合计占全球光模块供应量近三分之二，以及全球光数据通信收发器收入约 60%。中际旭创以约 27% 的营收份额领跑全球数据中心光收发器市场，新易盛紧随其后位居第三。若相关限制完整落地，西方供应商短期内缺乏足够洁净室产能、自动化封装基础设施和良率规模来替代中国产能，可能导致 800G/1.6T AI 集群商业化启动延迟数个季度、推高超大规模数据中心物料清单成本。与此同时，中国模块制造商 90% 以上的高价值 800G 和 1.6T 模块收入依赖海外买家，限制政策将直接冲击其收入基本盘。为应对贸易风险，中际旭创、新易盛等厂商已在泰国建立高产能自动化生产线，积极拓展中国大陆以外的生产布局。

点评：美国拟出台光模块进口限制草案，是继芯片出口管制之后科技供应链 “去风险” 管控向光通信基础设施领域的延伸。然而与半导体领域美国占据上游优势不同，光模块产业链呈现高度的相互依存 —— 中国掌控全球约三分之二的封装制造产能，而高端光模块的核心芯片（DSP、激光器等）仍依赖美国博通、Marvell 及 Lumentum、Coherent 等供应商。若管制落地，将破坏高度绑定的全球供应链体系，难以实现单边割裂。

从市场影响看，相关限制带来的 “反噬效应” 可能比芯片管制更为显著。美国超大规模数据中心运营商正加速向 800G/1.6T 高速光互连迁移以突破 “铜线瓶颈”，而中国厂商在这一领域占据主导地位。西方供应商短期内无法填补产能缺口，将直接导致 AI 集群部署延迟和成本飙升。对中国光模块厂商而言，收入高度依赖海外市场意味着短期内将遭受较大冲击，但东南亚产能布局提供了缓冲空间。这场博弈的最终结果，取决于谁更能承受供应链断裂的代价 —— 在相互依存度极高的光模块领域，单边限制措施的实际落地效果可能远不及政策制定者的预期。

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公司动态（8月5日）

外媒传闻三星电子、SK 海力士评估中微半导体刻蚀设备，韩系存储巨头在华工厂寻求设备备用方案

据路透社援引三位匿名知情人士消息，韩国三星电子和 SK 海力士被曝正在评估中国中微半导体的芯片制造设备，以供其中国工厂作为备用方案。知情人士透露，传闻两家公司大约在两年前启动相关设备测试评估；但三星电子随后发布官方声明予以否认，称公司没有为在华工厂使用而测试中微半导体设备，也未考虑过相关计划，SK 海力士则未对此传闻作出任何置评。受美国半导体管制政策持续收紧影响，两家韩企担忧未来限制不仅针对新设备采购，还会波及现有在华产线西方设备的维修、保养、备件更换，因此有行业观点认为企业在寻找国产设备作为产线运维备选，并非用于扩大在华产能。目前，三星在西安设有 NAND 闪存芯片厂，SK 海力士分别在大连、无锡布局 NAND、DRAM 内存工厂。

点评：外媒传闻韩企评估国产刻蚀设备，折射出美国对华半导体出口管制的 “长臂效应” 正从国内本土晶圆厂外溢至外资在华工厂。三星西安厂、SK 海力士大连、无锡厂拥有大规模存储产能，产线设备高度依赖美国应用材料、泛林半导体等海外供应商。随着管制持续收紧，厂商核心顾虑并非新增设备采购，而是现有产线设备后续维保、备件供给存在断供风险，将直接影响产线持续稳定运行。

将国产设备纳入评估范围，是外资厂商平衡合规要求与产线运营安全的备选思路。中微半导体刻蚀设备已在国内多家晶圆厂实现成熟商用，若后续能通过国际大厂完整验证并导入供应链，将是国产半导体设备突破国际一线客户的标志性进展；但三星官方否认相关测试动作，说明相关传闻仍处于早期阶段，距离大规模批量导入存在较大距离。从产业趋势看，美国出口管制持续收紧客观推动全球供应链多元化布局，不仅国内晶圆厂推进设备国产替代，外资在华工厂也开始储备备选设备方案，为国内半导体设备企业创造切入国际供应链的窗口，长期仍需持续提升产品性能、稳定性至国际一流水平。

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公司动态（8月5日）

南亚科技启动5A新厂长期投资计划，3466亿新台币押注10nm级先进制程

8月5日，南亚科技宣布启动5A新厂长期投资计划。董事会决议将今年资本支出由原定的新台币520亿元提高至新台币697亿元，调幅约34%，主要用于5A新厂加速建置及提前支付部分设备预付款。按照规划，2026年至2029年资本支出预算以不超过新台币3466亿元为上限，将导入1B、1C、1D及1E等10nm级先进制程与EUV曝光设备。5A新厂最大规划产能约为每月4.5万片晶圆，整体投资金额预估约160亿美元，将依市场需求分阶段建置。产能规划方面，新厂预计2027年下半年开始投片，2028年月投片量达3万片，2029年再提升至3.59万片，未来将视市场需求扩充至完整产能。

点评：南亚科技3466亿新台币的长期投资计划，是中国台湾地区DRAM产业近年来规模最大的单厂扩产动作。作为全球第四大DRAM供应商（仅次于三星、SK海力士、美光），南亚科技长期专注于消费级和利基型DRAM市场，在三大巨头将产能向HBM等高利润产品倾斜的背景下，南亚科技迎来了差异化竞争的战略窗口。此次5A新厂规划直接导入EUV曝光设备及1B至1E等10nm级先进制程，意味着南亚科技正试图在技术代际上缩小与头部阵营的差距。

从产能节奏看，2027年下半年投片、2028年3万片、2029年3.59万片的分阶段爬坡规划，体现了南亚科技对市场需求的分步判断——既不过度冒进，也为后续扩产预留了弹性空间。160亿美元的总投资规模，对于南亚科技而言是重大的财务承诺，反映了管理层对DRAM长期需求（尤其是AI带动的服务器DRAM）持续增长的信心。对于全球DRAM供需格局而言，南亚科技的扩产将在2028年后逐步释放新增产能，短期内不会改变供给偏紧的态势，但长期看将为市场提供额外的供应来源。对国内存储产业而言，南亚科技在10nm级制程和EUV技术上的投入，进一步抬高了DRAM赛道的竞争门槛，国产DRAM厂商需加快技术追赶步伐。

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公司动态（8月6日）

诺基亚收购恩智浦美国半导体工厂扩建InP产能，强化光通讯核心器件自制能力

近日，诺基亚宣布收购恩智浦（NXP）位于美国亚利桑那州钱德勒市的半导体工厂，计划改造为磷化铟（InP）半导体生产线，以提升光通讯元件自制能力。诺基亚首席执行官Justin Hotard表示，此次收购旨在确保额外产能以满足自身需求，同时在严峻的市场供应限制中为客户保留更大的选择空间。根据规划，诺基亚将自明年初开始通过租赁部分厂房设施，并将其改造为InP半导体光器件生产线，随后将收购整个厂区，交易预计于2029年第一季度正式完成。去年诺基亚通过收购光学设备制造商Infinera，已获得加州的InP晶圆厂及宾州的封装后端工厂，目前正积极投资将该封装厂的产能扩增10倍。

点评：诺基亚收购恩智浦美国InP工厂，是其继收购Infinera之后在光通讯核心器件领域的又一次纵深布局。磷化铟是高速光模块、相干光通信和AI数据中心光互连的核心衬底材料，在800G/1.6T光模块需求井喷的背景下，InP产能已成为全球光通信产业链的战略瓶颈。诺基亚通过连续收购快速构建从晶圆制造到封装测试的InP全链条自制能力，意在摆脱对外部供应商的依赖，将光通讯核心器件的产能安全掌握在自己手中。

从产业趋势看，传统通信设备巨头正加速向上游半导体制造环节延伸。诺基亚选择在美国亚利桑那州布局InP产能，既利用了恩智浦现有厂房的成熟设施实现快速改造，也顺应了美国推动半导体本土制造的政策导向。对于国内光通信产业而言，诺基亚在InP领域的垂直整合进一步提高了全球高端光芯片的竞争门槛。国内企业在磷化铟衬底、外延和光芯片制造环节仍需加快技术突破与产能建设，以确保在AI驱动的光互联需求爆发周期中不被“卡脖子”。

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公司动态（8月4日）

基本半导体与汉磊科技达成战略合作，加快8英寸碳化硅晶圆开发及量产

8月4日，深圳基本半导体股份有限公司发布自愿公告，宣布已与汉磊科技股份有限公司达成战略合作。双方将在前期长期合作的基础上，加快8英寸碳化硅晶圆的开发及量产。此次合作将基于基本半导体的先进产品技术和市场优势，以及汉磊科技高质量大规模晶圆制造能力，共同推进新工艺平台开发和量产落地，提升碳化硅产品在新能源汽车、AI算力中心等领域的市场份额。此外，双方还将围绕新型化合物半导体在前沿应用领域的核心工艺及应用技术展开研究。

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公司动态（8月6日）

华海清科首台 6 英寸集成量测装备出机，CMP 工艺闭环控制能力再升级

8 月 6 日，华海清科股份有限公司 6 英寸集成量测装备正式出机，交付国内光学硅材料头部企业。该装备可直接嵌入 CMP 化学机械抛光全流程，实现抛光前后实时量测，并同步将数据上传生产控制系统；设备搭载 SAPC 智能工艺控制系统，通过闭环反馈动态调整抛光时长、分区抛光压力，显著改善晶圆片内、片间均匀性。整套量测流程无需离线转运，可与机台原生终点检测系统深度联动，实时补偿工艺漂移、制程波动，提升晶圆、批次一致性，减少生产返工与晶圆报废，整体提升设备稼动率与生产良率。

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公司动态（8月7日）