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公司动态(7月20日)

存储三巨头叫停CXL控制器自研，外包模式重构产业链分工

据半导体行业20日消息，三星电子、SK海力士和美光已同时停止自主研发CXL（ComputeExpressLink）控制器，此前它们曾大力投资研发这一下一代半导体技术。美光率先终止了专有控制器研发项目，转而采用PrimeMars的方案；SK海力士近日正式通知主要合作伙伴将停止自研，相关研发人员重新分配至内存内处理（PIM）领域；三星电子仅将自研控制器用于内部研发团队研究，商业化项目已排除在外，对外销售产品则采购无晶圆厂公司的控制器。三家厂商最初计划销售集成自研控制器和DRAM的“集成CXL模块”高价成品，但大型数据中心客户为节省基础设施建设成本，更倾向“分离式”架构——将CXL控制器单独连接到系统主板，插入通用DRAM内存条。此举源于对“自我蚕食”的担忧：强行推广高价一体化产品可能削弱通用DRAM（DIMM）这一核心收入来源的需求。这一市场空白将由Montage、AsteraLabs和PrimeMars等无晶圆厂公司填补。

点评：存储三巨头同步叫停CXL控制器自研，标志着CXL产业化路径进入关键转折点。三巨头选择将控制器设计外包给专业无晶圆厂公司，本质上是回归半导体产业“设计-制造”分工的高效模式。这一决策的核心逻辑在于商业模式的现实考量：CXL控制器的自研投入巨大，若强行推进一体化高价产品，反而可能侵蚀通用DRAM这一核心利润来源。在AI驱动下通用DRAM需求持续旺盛的背景下，巨头们不愿用高成本的新产品去“杀死”现金牛业务。

从产业趋势看，这一转变对CXL生态的长期发展未必是坏事。专业无晶圆厂公司在控制器设计上更具灵活性和成本优势，三巨头的退出为Montage、AsteraLabs等企业打开了市场空间，有望加速CXL控制器的标准化和成本下降。分工模式的回归，也验证了半导体产业链“各司其职”的生态效率——存储巨头专注晶圆制造与DRAM创新，控制器设计交由专业公司完成，这种分工或将加速CXL技术在数据中心的规模化落地。

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市场动态(7月21日)

玻璃封装产业化进程全面提速，AI芯片尺寸突破物理极限催生材料革命

随着AI芯片封装尺寸迅速逼近传统材料与制造体系的极限，玻璃基板正从实验室走向产业链验证的关键阶段。台积电2026年已量产5.5倍光罩尺寸的CoWoS，并计划2028年推出14倍光罩尺寸版本，可集成约十颗大型计算芯片和20组HBM。英特尔、三星、SK、LG，到联电、日月光、康宁、AGC等产业链厂商，已纷纷将玻璃纳入先进封装路线图。玻璃以临时载板、玻璃芯载板、玻璃中介层、TGV及玻璃桥等多种形态渗透封装体系。三星电机已在世宗事业场建设试验线，LGInnotek目标2027至2028年推进量产，SKC旗下Absolics正推进客户可靠性评估。SEMI预测，玻璃芯基板市场2028年至2040年复合年增长率将达67.2%。

点评：玻璃封装受到的关注，本质上是AI芯片对“更大面积、更稳定尺寸、更高密度互连”的刚性需求与有机载板物理极限之间矛盾激化的结果。当封装从数十毫米见方扩展至100毫米以上尺度时，有机材料的收缩、翘曲与对位误差呈非线性增加，玻璃凭借更高的刚度和尺寸稳定性成为延续先进封装路线图的必然选择。

从竞争格局看，玻璃封装正在重塑先进封装的产业边界与供应链格局。英特尔从处理器架构出发向下延伸至玻璃基板制造，台积电则联合载板供应商稳步推进CoPoS替代方案；三星调动集团内晶圆代工、显示面板与载板资源协同作战；联电选择从TGV后续的RDL、CMP等环节切入，利用现有晶圆厂能力将硅中介层工艺迁移至玻璃平台。原本分工清晰的“材料厂-载板厂-晶圆厂-封测厂”产业链边界正在变得模糊。

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公司动态(7月22日）

纬创得州D1新厂启用，黄仁勋到场祝贺，GB300计算基板实现全美首片量产

7月22日，纬创举行美国得克萨斯州新厂D1启用典礼，英伟达CEO黄仁勋到场祝贺，并与纬创董事长林宪铭共同揭幕。D1新厂斥资近7亿美元，面积约32.4万平方公尺，采用英伟达加速计算技术，并整合Nemotron与Cosmos等开放前沿模型，以及Omniverse与Metropolis，通过数字孪生技术优化厂房设计、生产流程与营运效率。D1新厂创下全美国第一片英伟达GB300计算基板诞生并成功量产。纬创董事长林宪铭提到，新厂进行的是高度整合的先进智慧制造，现已开始量产NVIDIAGB300GraceBlackwellSuperchip，未来也将在此生产NVIDIAVeraRubinSuperchip。D1厂开幕只是纬创北得州布局的第一阶段，后续D2厂规模预计至少是D1的两倍，公司也已开始思考第三、第四个据点，为新一代AI产品与后续需求预留制造空间。黄仁勋表示，由于英伟达每年对AI服务器需求都在翻倍成长，本次D1新厂产能仅占英伟达总制造量5%，后续将会需要更多工厂跟上AI强劲需求。

点评：纬创得州D1新厂启用，标志着英伟达AI服务器供应链的“美国制造”进程迈出实质性一步。D1厂实现全美首片GB300计算基板量产，且已规划后续VeraRubin的生产，代表英伟达在原有亚洲供应链基础上加码美国本土产能布局，打造全球多点位供货体系。黄仁勋亲临并直言“D1产能仅占5%”，既是对纬创的背书，也暗示了英伟达对美国本土产能的迫切需求——每年翻倍的AI服务器需求，决定了这仅仅是个开始。

从产业趋势看，纬创D1厂的模式具有示范效应：采用英伟达加速计算技术、数字孪生优化、整合开放模型，将AI制造本身作为AI的应用场景。这种“用AI造AI”的智慧工厂范式，可能成为未来AI硬件制造的标准配置。对国内供应链而言，纬创在得州的扩张意味着全球AI服务器制造产能布局更加多元化、北美供给能力持续提升，国内代工厂需在技术密度和智能制造能力上加快升级，以应对全球产能布局重构带来的竞争压力。

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公司动态（7月24日）

西门子收购法国EDA公司Defacto Technologies，强化RTL设计自动化与SoC集成能力

7月21日，西门子官方宣布收购Defacto Technologies，一家专注于RTL设计领域的私营EDA软件公司，聚焦自动化SoC设计创建与集成。Defacto Technologies成立于2003年，总部位于法国格勒诺布尔，在RTL设计领域深耕二十余年。其技术通过扩展SoC设计生命周期的端到端连续性，补充了西门子现有的EDA解决方案，从早期设计创建到下游实现、验证和签核，支持高级设计工作流程，可实现连续性、时序约束和功耗意图流程的自动化。本次收购的具体条款未予披露。

点评：西门子收购Defacto Technologies，是EDA行业整合趋势的又一案例。Defacto在RTL设计自动化领域的积累，能够补齐西门子EDA工具链在芯片设计前端的能力，实现从设计创建到验证签核的全流程贯通。随着芯片设计复杂度持续攀升，尤其是AI芯片和Chiplet架构对系统级设计自动化的需求激增，EDA工具的前后端协同变得愈发关键。西门子通过并购而非自研的方式快速补强短板，反映了头部EDA厂商正通过资本手段争夺细分领域的技术高地。

对于国内EDA产业而言，西门子的并购再次印证了“全流程平台化”是EDA行业的核心竞争力。国内EDA企业多集中于点工具突破，在并购整合能力和全流程方案构建上仍有差距。Defacto作为一家深耕二十余年的欧洲老牌EDA厂商被收购，也提示国内EDA企业同样可能成为国际巨头并购的目标，如何在保持独立发展的同时构建生态壁垒，是值得思考的课题。

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市场动态（7月20日）

上半年我国集成电路出口额同比增长88.7%，AI需求驱动电子产业出口高速增长

7月20日，国新办就2026年上半年工业和信息化发展情况举行新闻发布会。工业和信息化部总工程师王卫明透露，上半年以人民币计价的集成电路出口额同比增长88.7%，电子元件出口额同比增长62.6%。王卫明表示，全球人工智能、绿色低碳转型等需求旺盛，带动电子、专用设备、通用设备、汽车、电气机械等行业对工业经济增长贡献超过五成，集成电路制造、电子专用材料制造等行业增加值保持两位数增长。上半年工业生产稳定增长，规模以上工业增加值同比增长5.4%，41个工业大类行业中有32个保持增长。规模以上装备制造业、高技术制造业占工业增加值比重分别比一季度提高1.9个和0.9个百分点，工业机器人、服务机器人等产品产量保持两位数增长。

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政策动态（7月21日）

总规模100亿元深圳重大产业生态基金正式设立，锚定半导体与人工智能等战略性新兴产业

据深圳特区报报道，深圳市重投一号重大产业生态发展私募股权投资基金合伙企业近日正式注册设立，基金总规模100亿元，首期规模39.4亿元。基金由深重投集团牵头，联合农银资本、前海金控、前海科创、佛山市创新创业投资有限公司、农银金融资产投资有限公司、宁波市甬元投资基金有限公司等国资平台以及中国人民大学教育基金会共同发起设立，深重投集团所属企业深重投资本担任基金管理人，农银资本担任普通合伙人。基金将立足耐心资本、战略资本、关键资本定位，锚定半导体与集成电路、人工智能、智能终端等“20+8”战略性新兴产业，着力补齐产业链、供应链薄弱环节短板，重点服务关键核心技术攻关、硬科技企业培育、产业并购整合及产业链上下游招商稳商，协调联动集成电路重大项目、创新载体等优质资源，加快培育新一代信息技术和高端制造等核心产业创新生态。

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公司动态（7月23日）

OPPO、vivo等国产手机厂商明确拒绝三星Q3存储涨价，下游抵制情绪集中爆发

7月23日，据多家媒体报道，包括OPPO、vivo在内的多家国产手机厂商已明确拒绝三星电子2026年第三季度的存储芯片涨价报价。自2025年下半年起，受AI数据中心建设对HBM产能的大幅挤占，消费级DRAM和NANDFlash供应持续趋紧。进入2026年，DRAM、NAND闪存合约价格连续多个季度大幅走高，整体涨价幅度十分可观；一加中国区总裁李杰表示，此轮手机内存整体采购成本出现大幅度上涨。目前，12GBLPDDR5X内存、1TB闪存的采购成本较此前明显走高，存储芯片在手机物料清单中的占比由过往10%-15%上涨至普遍20%-30%，高配机型占比相对更高。尽管三星此次报价涨幅相较前两个季度已明显收窄，但下游厂商态度坚决。不过从短期来看，即便下游品牌放缓存储器库存补充速度，移动端存储半导体供小于求的整体态势并不会发生改变。