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公司动态(7月14日）
联电新加坡厂启动12英寸硅光芯片生产，瞄准AI数据中心高速互连需求
7月14日，联电宣布其位于新加坡的12英寸硅光子产线已开始批量生产先进光子芯片，满足AI数据中心对高速互连日益增长的需求。联电高级副总经理洪圭钧表示，硅光子和CPO技术将成为公司未来数年的重要增长动力。将光子芯片生产从传统8英寸晶圆转向12英寸，可有效降低光学损耗，提升功率效率与传输性能。新加坡本土光子芯片企业Silith Technology成为该产线首位核心战略客户，其客户包括光模块厂商中际旭创和Coherent，两家公司均为英伟达和谷歌的重要供应商。联电还与比利时微电子研究中心IMEC共同建设光子芯片生产平台，计划2027年起向更多客户开放。封装配套层面，联电规划2027年推出定制化先进封装业务，将光子芯片连接至中介层以缩短电气传输路径。长期规划上，联电计划2028年推出开放式硅光子开发平台，并同步开展薄膜铌酸锂芯粒技术研发。中国台湾、新加坡将共同作为联电光子芯片和先进封装业务的主要研发及制造基地，现阶段已组建百人专业技术团队。
点评：联电新加坡 12 英寸硅光产线量产，标志硅光子工艺从实验室小规模试制转向标准化代工制造。AI 算力集群规模持续扩张，数据中心内部带宽需求快速增长，传统可插拔光模块在功耗、集成密度上逐步触达物理上限，硅光子与 CPO 是行业公认的主流解决方案。 联电选择新加坡布局硅光产线，一方面依托当地光子学科研资源与成熟人才储备，另一方面多元区域布局能够分散单一地区地缘政策带来的经营风险。产业层面，台积电 COUPE 硅光平台、联电新加坡代工产线形成两条并行代工路线，硅光子代工赛道竞争逐步升温。 国内产业链层面，中际旭创通过上游 Silith 间接对接联电光芯片产能，有助于稳定高端光模块原材料供给。但整体来看，高端硅光芯片、异质集成封装仍是国内供应链薄弱环节，需持续加大研发投入，避免下一代光互连技术形成新的对外依赖。
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政策动态（7月16日）
欧盟批准德国6.59亿欧元援助四座半导体设施，覆盖碳化硅外延、量测设备及功率器件
欧盟委员会7月14日宣布批准6.59亿欧元德国援助，用于支持德国新建四座半导体工厂，涉及碳化硅外延晶圆、光学套刻和薄膜量测设备等领域。本次补贴以直接拨款形式发放，由德国联邦政府与地方州政府共同出资。资金分配如下：3.53亿欧元拨付至Element 3-5 GmbH，用于在北莱茵-威斯特法伦州巴斯韦勒建设碳化硅外延晶圆工厂；2.14亿欧元拨付至Vishay Siliconix Itzehoe GmbH，在石勒苏益格-荷尔斯泰因州伊策霍建厂，生产高压电力电子设备所用下一代功率MOSFET；7440万欧元拨付至KLA-Tencor MIE GmbH，在黑森州魏尔堡生产用于半导体制程管控的高端光学量测设备；1790万欧元拨付至KETEK GmbH，在慕尼黑投建两条产线，生产硅漂移探测器专用芯片与石墨烯辐射入射窗元器件。
点评：欧盟此次批准德国6.59亿欧元补贴覆盖四座工厂，是欧洲芯片自主战略在细分赛道的精准落子。碳化硅外延、功率MOSFET、光学量测设备、专用探测器芯片——四个项目无一涉及最先进逻辑制程，却精准卡位了新能源汽车、工业电源、半导体设备等欧洲具备传统优势且市场需求确定的方向。这种“扬长补短”的策略，与动辄百亿欧元追逐先进制程的思路形成鲜明对比。
从援助机制看，欧盟对单个成员国补贴的审批通过，表明在“欧洲共同利益重要项目”框架下，补贴尺度有所放宽。Vishay作为全球功率半导体巨头、KLA作为量测设备龙头分别获得补贴，意味着欧洲正通过财政手段吸引头部企业将产能留在或迁入本土。对国内产业而言，欧洲在碳化硅、功率器件、量测设备等赛道加速本土化布局，将在这些细分领域与国产替代形成直接竞争，国内相关企业需加快技术迭代与成本优化，巩固自身市场份额。
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公司动态(7月16日)
Tower投资30亿美元扩产日本硅光芯片，日本政府拨款10亿美元力挺
Tower Semiconductor宣布计划投资约30亿美元（约合200亿人民币），并获日本政府10亿美元拨款，扩大其在日本的半导体制造规模，聚焦AI系统和数据中心连接技术需求。这家以色列芯片制造商启动双轨扩建计划，将大幅提升300毫米硅光子芯片（SiPho）、硅锗芯片（SiGe）和先进光学封装产能。扩张通过Tower在日本的业务进行，包括其通过TPSCo多数股权收购获得的设施。Tower预计第一阶段于2027年第四季度全面投产，更新商业模式后预计到2028年收入达36亿美元、净利润达12亿美元。第二阶段将在Fab 7旁新建300毫米制造工厂，预计使硅光子和硅锗产能“成倍”增长，新设施预计从2029年开始做出重大经济贡献。Tower表示双轨制旨在避免从零建厂带来的延误。受消息提振，Tower股价今年以来上涨近90%。
点评：Tower此次30亿美元扩产计划，是硅光子制造领域迄今为止规模最大的单笔投资之一。在日本政府10亿美元补贴加持下，Tower试图将日本富山、新潟的既有产线打造为全球硅光子和硅锗制造的“卓越中心”。这一布局的产业逻辑清晰：AI集群从万卡向十万卡演进，数据中心内部光互连带宽需求指数级攀升，硅光子被视为突破“光互联墙”的关键路径。Tower选择在日本扩产，既利用了TPSCo现有基础设施实现快速产能爬坡，也顺应了日本政府重振本土半导体制造的政策导向。
从竞争格局看，Tower的入局意味着硅光子制造正从“实验室验证”加速迈向“规模化量产”阶段。台积电有COUPE硅光平台，联电已在新加坡启动12英寸硅光生产，Tower此番加码日本，全球硅光子代工产能的“三足鼎立”格局初现雏形。对于国内产业而言，硅光子和CPO作为AI算力基础设施的战略制高点，国产供应链在高端光芯片、异质集成封装等环节仍需加快自主突破，避免在下一代光互连技术上形成新的对外依赖。
04
公司动态(7月16日)
英特尔18A、14A制程及EMIB封装拿下AMD、英伟达等多家巨头设计导入，代工业务获重大突破
据KeyBanc Capital Markets与FactSet报道，英特尔在18A（含18A-P）和14A下一代制程上取得相当进展，已拿下AMD、英伟达、Marvell、微软、美光和OpenAI等多家科技巨头的设计导入。英特尔目前仅量产了18A节点且已进入产能爬坡，18A-P处于风险量产阶段，14A计划2028年风险量产、2029年量产。良率方面，18A已提升至约85%，上一季度约为65%，略落后于台积电N2（2nm）约90%的良率，但明显领先于三星SF2（据报道在50%-60%）。先进封装领域，英特尔EMIB及其变体EMIB-T、EMIB-M良率已达到98%的“金标准”。据传采用英特尔EMIB封装的客户包括英伟达（Feynman GPU）、谷歌（TPU HumuFish）以及亚马逊（AWS Trainium 3）。英特尔同步推进玻璃基板封装路线，将在Rio Rancho工厂生产。
点评：英特尔代工业务此次集中披露多家巨头设计导入，标志着其从“内部制造厂”向“全球第二大先进代工选项”的转型进入了实质性的客户验证阶段。18A良率从65%跃升至85%仅用一季，与台积电N2的差距已缩小至5个百分点，而EMIB封装98%的良率更是达到了与台积电CoWoS同等的“金标准”水平——这在三个月前还仅为90%。对于长期苦于台积电产能紧缺的AI芯片客户而言，英特尔终于提供了一个“够好且可用”的备选方案。
从竞争格局看，英特尔正以“制程+封装”双轮驱动策略，试图打破台积电在先进代工领域近乎垄断的格局。18A吸引逻辑芯片客户，EMIB则直击CoWoS产能瓶颈——后者正是当前制约AI芯片出货的核心卡点。若英特尔能在2027-2028年如期推进14A量产并持续提升封装产能，全球先进半导体制造将从“台积电独大”走向“两强并立”。对国内产业而言，英特尔代工能力的崛起可能进一步分流台积电先进产能，加剧全球晶圆代工产能的区域化重构，但同时也为国内芯片设计企业提供了除台积电外的第二个海外先进制程选项。
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公司动态(7月13日)
东方算芯发布首颗旗舰芯片DF1000，全球首颗软件定义近存计算3D芯片正式亮相
7月13日下午，东方算芯在上海正式发布首颗旗舰芯片——DF1000。作为全球首颗软件定义近存计算3D芯片，DF1000以“软件定义＋3D堆叠近存计算”的架构创新，破解了中国高端算力芯片发展面临的存储墙、功耗墙等核心瓶颈。该芯片在14nm工艺节点下实现520TFLOPS@BF16的算力，访存带宽高达6.4TB/s，Scale-up带宽高达900GB/s。东方算芯董事长兼CEO魏少军教授表示，DF1000通过架构创新在国产成熟工艺下实现高性能算力输出，团队已构建全国产供应链体系与自主软件生态，可支撑大模型时代算力需求。东方算芯植根于清华大学集成电路学院移动计算研究中心，于2024年5月成立，总部位于上海。融资方面，公司于2026年4月底完成A+轮融资，投后估值122.75亿元，国家人工智能产业基金为其股东之一，计划于今年四季度启动B轮融资。
06
公司动态(7月15日)
芯联集成12英寸车规级数模混合芯片制造项目在绍兴开工，总投资约200亿元
据绍兴日报报道，芯联集成12英寸车规级数模混合芯片制造项目日前在杭绍临空示范区绍兴片区开工。作为芯联集成四期重点工程，该项目计划总投资约200亿元，新建一条月产能5万片的芯片生产线，通过产能扩容与技术升级，布局AI算力新赛道。项目占地约500亩，由芯联集成与相关方共同投资建设，核心技术产品涵盖40/28纳米MCU/DSP、90/55纳米BCD/DrMOS等模拟电路、55纳米硅光/激光驱动等芯片。项目建成达产后，预计年产值超55亿元。
该项目标志着芯联集成在巩固新能源汽车和工业控制两大核心市场的基础上，正式切入AI服务器电源、光互联两大新赛道。扎根绍兴以来，芯联集成已顺利完成三期项目落地投产。目前，芯联集成晶圆年生产量达251.27万片（折合8英寸），四期项目投产后，总产能将突破40万片/月。今年6月11日，芯联集成发布公告，计划在浙江省绍兴市合资建设一条月产能达5万片的12英寸数模混合芯片生产线，该项目作为公司第四期投资项目，计划总投资约200亿元，其中芯联集成出资30.12亿元，持股25.1%。此举被视为芯联集成系统性切入AI服务器电源管理芯片与光互联芯片两大高增长赛道的关键布局。
07
公司动态(7月16日)
飞凯材料高端环氧塑封料项目在安庆投产，年产能1万吨瞄准先进封装关键材料
近日，飞凯材料位于安徽安庆的半导体材料智能工厂正式投产运营。本次投产基地为安徽安庆兴凯半导体材料有限公司，项目总投资1亿元，聚焦高端环氧塑封料（EMC）的研发与生产，设计年产能1万吨，产品瞄准存储堆叠封装、智能芯片、车载功率器件等高精尖应用领域。环氧塑封料是半导体封装环节不可或缺的关键材料，其性能直接影响芯片的可靠性、散热性和信号完整性。随着先进封装技术向3D堆叠、系统级封装等方向发展，对高端EMC的性能要求持续提升。飞凯材料此次投产的高端EMC产线，有望为国内先进封装产业链提供关键材料支撑，降低对进口材料的依赖。
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