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公司动态(7月8日)

安森美出售菲律宾与美国两座工厂，持续推进“Fab Right”战略优化成本结构

7月8日，安森美宣布已就出售两座分别位于菲律宾和美国宾夕法尼亚州的芯片制造工厂与交易对方达成最终协议。此举是其“Fab Right”战略的一部分，旨在改善整体制造成本结构、推动毛利率持续增长。两笔交易预计每年可为安森美节省约3500万美元成本，初步节省将于2027年开始，全部节省于2028年实现。其中，安森美将把位于菲律宾Tarlac的工厂出售给力成集团旗下的台湾地区OSAT业者超丰电子，交易预计未来三到六个月内完成。双方已达成长期供货协议，确保交易完成后能够继续履行对客户的承诺。此外，瑞典Silex Microsystems将接手安森美位于美国宾夕法尼亚州Mountain Top的工厂，交易预计于2028年1月完成，延长过渡期旨在让安森美有序转移该工厂目前生产的产品至其网络内的其他工厂，确保客户业务连续性。

点评：安森美出售两座工厂是其“Fab Right”轻资产化战略的延续，核心逻辑在于剥离非核心或老旧产能，将资本集中于12英寸先进功率半导体、SiC和智能传感等高端领域。菲律宾Tarlac工厂由OSAT接手并维持长期供货，既保障了客户供货稳定性，又实现了资产负债表优化；美国Mountain Top工厂出售给瑞典MEMS代工厂Silex，则反映了欧美半导体产业在特定细分领域的产能整合趋势。

从产业视角看，全球模拟/功率IDM厂商正加速推进“虚拟IDM”或“Fab-Lite”模式转型——保留核心技术研发和关键制造能力，将标准化或成熟制程产能外包。对国内晶圆代工和封测企业而言，安森美此类资产剥离可能带来承接海外成熟产线或设备转移的机会，同时需关注国际IDM厂商在功率半导体、传感器等领域的竞争策略调整。

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公司动态(7月9日)

苹果与博通达成超300亿美元芯片采购协议，深化美国本土制造定制芯片合作

7月9日，苹果宣布与博通达成一项新的多年期协议，计划未来五年向博通采购价值超过300亿美元的美国制造芯片。这项协议预计将实现超150亿颗美国制造的芯片量产，并支持数百个美国就业岗位。协议还包含博通将投入15亿美元扩建和升级其位于美国科罗拉多州柯林斯堡的制造设施，生产先进射频组件，包括FBAR滤波器以及各种无线连接技术。当地时间7月6日，博通向美国证券交易委员会（SEC）提交的一份协议显示，其与苹果已达成协议，将双方长期技术合作延长至2031年。双方签署多项全新多年长期协议，约定由博通研发并供应一系列定制ASIC芯片产品，用于苹果多代终端产品。博通长期以来一直为苹果供应连接组件，而此次合作将进一步深化双方围绕美国本土制造定制芯片的合作关系。

点评：苹果与博通签署总额超 300 亿美元的多年采购协议，是头部科技企业顺应全球供应链多元布局趋势、优化零部件供给体系的典型案例。博通作为苹果长期射频与无线连接组件供应商，本次合作将双方技术协作周期延长至 2031 年，同时明确以美国本土制造为落地核心；博通配套投入 15 亿美元升级科罗拉多州工厂，扩充 FBAR 滤波器、无线通信芯片产能，也是对当地半导体产业扶持政策的产业落地响应。 对博通而言，苹果长期大额订单锁定了稳定的下游需求，为产线扩建、定制 ASIC 研发提供充足资金支撑；对苹果来说，本次长约提前锁定核心射频芯片产能，能够持续保障终端产品零部件供给稳定，完善自身全球化多层级供应链布局。 放眼全球产业发展，近年头部科技企业均在推进供应链区域均衡布局，苹果先后联动台积电美国厂区、锁定博通本土产能，是行业优化供给韧性的通用做法。这一产业趋势也为国内半导体行业提供参考：全球产业链正走向多区域协同配套的发展格局，国内企业可依托本土庞大的终端、算力应用市场，深耕成熟制程、特色封测、配套元器件赛道，打造适配内需市场的差异化产业竞争力，深度参与全球多层次产业协同体系。

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公司动态(7月10日)

美光宣布总投资提高至2500亿美元，加速美国本土DRAM产能扩张

7月10日，美光科技宣布，将把在美国新建工厂的计划支出提高到2500亿美元（约合1.7万亿元人民币），较此前宣布的2000亿美元投资计划再增加500亿美元，用于扩大国内芯片制造规模，涵盖纽约州、爱达荷州和弗吉尼亚州的项目，预计支出将持续到2035年。美光科技在另一份声明中补充称，将投入30亿美元用于保障国内半导体供应链，其中包括向台湾硅晶圆供应商GlobalWafers提供5亿美元战略融资，双方已达成一项为期10年的协议，确保美光获得“大量的硅晶圆产能”。美光表示，此次投资增加将有助于其实现长期目标，即在美国本土生产40%的DRAM芯片。同日，美光位于纽约州克莱市的工厂完成首次混凝土浇筑，比原计划提前超一个季度。受消息提振，美光股价盘前上涨6.5%。

点评：美光将美国中长期投资规模上调至 2500 亿美元，是全球存储行业顺应 AI 算力需求爆发、开启中长期产能扩张周期的标志性动作。当前全球 HBM、高端通用 DRAM 需求持续上行，各大存储厂商均规划大额资本开支扩充产能，美光加码本土产线布局，目标实现 40% DRAM 产能在美国落地，既贴合当地半导体产业扶持导向，也能完善自身全球多基地产能布局，平衡不同区域市场的供给需求。 值得关注的是，美光同步拿出 30 亿美元完善上游配套保障，通过十年长期协议锁定硅晶圆厂商 GlobalWafers 稳定供货，反映出行业新趋势：在全球产业多点布局的背景下，厂商不再仅聚焦晶圆制造产能建设，同步将关键原材料、配套供应链就近配套纳入长期战略规划，全方位提升供给稳定性。 从行业发展视角来看，全球存储头部企业同步开启扩产周期，市场整体供给规模将持续扩容，行业产品结构也会向高附加值 HBM、AI 专用存储倾斜。国内存储产业可依托本土 AI 算力、服务器庞大内需市场，持续打磨自有 DRAM、HBM 产品能力，聚焦差异化应用赛道稳步提升产品渗透率，与全球各地存储产业形成互补发展格局。

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公司动态(7月10日)

英特尔亮出存储“底牌”XBM架构：从晶体管布局另起炉灶，剑指HBM霸主地位

近日，英特尔公布了一项名为XBM（Extended Bandwidth Memory）的专利存储架构，目标直指2030年后的AI算力市场，试图撼动HBM的统治地位。传统HBM的DRAM存储单元（1T1C）必须蚀刻在芯片底部的晶体硅前端层（FEOL），而XBM则创造性地将晶体管与电容移至芯片后端的金属互连层（BEOL），采用薄膜晶体管技术构建存储单元。这一“前移后”的改变极大提升了面积利用率，允许在单位面积内布置更多硅通孔（TSV）通道，从而在较低频率下实现与HBM4同等级别的目标带宽。在接口设计上，XBM放弃了HBM依赖的超宽并行接口和昂贵的硅中介层，转而采用串行的UCIe链路进行芯片间互联，简化封装流程并有望显著降低制造成本。单颗XBM芯片容量覆盖0.5GB至5GB，支持8层或16层堆叠，预计2030年前后商业化。

点评：英特尔XBM的颠覆性在于它不是对HBM的改良，而是从晶体管布局的“地基”开始另起炉灶。当前HBM虽处于供不应求的鼎盛阶段，但随着堆叠层数向16层演进，贴装精度、芯片翘曲、散热与功耗等问题日益突出，混合键合等工艺成熟度不足，制造成本高企且产能扩张受限于先进封装环节。这些瓶颈为XBM等新兴技术提供了切入窗口。

XBM选择将存储单元从“前端”移至“后端”金属互连层，通过薄膜晶体管技术重构存储单元，本质上是用“制造工艺的创新”绕过“物理微缩的极限”。若商业化落地，XBM有望以更低成本、更简封装实现与HBM同级带宽，对当前依赖CoWoS先进封装和硅中介层的HBM供应链构成潜在冲击。不过该技术仍处于专利与验证阶段，实际性能与良率尚需时日观察。对于国产存储产业而言，XBM的出现提示了一条差异化竞争路径：与其在HBM的成熟路线上追赶巨头，不如前瞻性布局下一代存储架构，在技术路线切换期寻找换道超车的可能。

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市场动态(7月7日)

2026年国内存储芯片市场规模预计达4496亿美元，同比暴涨262.9%

7月7日，市场研究机构Omdia发布预测报告，大幅上调全年行业增长预期，预计2026年国内半导体整体市场规模达到8120.8亿美元，同比增速上修至92.9%。对比去年四季度给出的预测数值，市场规模上调2656亿美元，上调幅度接近五成。存储芯片是今年国内半导体增长最强支柱，2026年国内存储市场规模预计4496亿美元，同比暴涨262.9%，在国内半导体整体市场份额从去年29.4%跃升至55.4%。报告显示，国内计算与存储芯片赛道增速达到126%，在整体半导体应用市场中占比62.9%。全球半导体市场2026年总规模将突破1.6万亿美元，计算存储品类同样占据六成以上份额，国内外产业增长逻辑高度同步，行业正式迈入AI驱动增长周期。反观以智能手机为核心的无线通讯板块，虽增速68.8%，但存储涨价推高整机成本，市场出货量持续收缩，该品类市场占比从2025年30.43%下滑至26.63%。机构指出，中国作为占AI主导地位的国家之一，2026年围绕AI的基础设施建设将大规模展开，AI带来的基础建设需求将大幅提升国产芯片的利用率，逐步释放的上游供应链产能也将借此带来订单和产能利用率的提升。

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公司动态(7月9日)

长鑫存储科创板IPO打新定档7月16日，国产DRAM龙头迎来资本化里程碑

7月9日，长鑫科技（市场俗称长鑫存储）在上交所披露完整发行安排公告，科创板IPO时间线正式落地。这也是科创板史上第二大IPO、2026年A股规模最大科技企业上市项目。根据安排，7月13日机构初步询价，7月15日刊登正式发行公告，7月16日网上、网下同步申购，证券代码688825，网上申购代码787825。长鑫是国内唯一实现DRAM全流程自主量产的企业，当前DRAM全球份额稳居第四、国内第一。随着AI服务器爆发带动存储超级周期，公司业绩迎来史诗级反转：2026上半年预计净利润500亿至570亿元，同比最高暴涨2544%，日均盈利近3亿元。DDR5、LPDDR5X已批量导入手机、国产AI服务器，同步推进HBM存储研发。此次IPO募集资金将加速高端存储产线建设，叠加此前JEDEC发布的低成本HBM标准，国产AI算力存储自主可控进度将大幅提速。

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公司动态(7月10日)

杭州玉之泉联合浙大推出“万通道3D纳米激光直写光刻机”，国产微纳加工装备实现重大突破

日前，杭州玉之泉精密仪器有限公司联合浙江大学极端光学技术与仪器全国重点实验室，正式推出“万通道3D纳米激光直写光刻机”。玉之泉成立于2022年12月，是一家致力于解决国家“卡脖子”光刻技术的高端光学精密仪器研发公司。针对双光子激光直写技术“单束扫描”效率低的痛点，研发团队创新提出“万通道快速独立调控方案”，可瞬间生成1万多个可独立控制的并行激光焦点，配合智能全局优化算法将光强均匀度提升至95%以上。设备性能卓越：超高打印速率达每秒2亿体素以上，最小特征尺寸可达亚50nm，2D面扫描速率达40平方毫米/分钟，是传统技术的几十倍，最大加工幅面可完整覆盖12英寸晶圆。该设备应用场景覆盖光子掩膜版、MEMS掩膜版等高端掩膜制造，以及光子芯片与先进封装、MEMS传感器、精密光学元件等领域。尤其为超表面（Metasurface）这一未来AR/VR、激光雷达及6G通信核心元件的规模化量产提供了核心设备支撑，可将传统数周的加工周期压缩至数小时。