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市场动态（12月10日）
韩国政府投资31亿美元建设新晶圆代工厂
韩国政府12月10日正式宣布，将联合民间资本共同投入4.5万亿韩元（约合31亿美元）建设一条12英寸成熟制程（40纳米及以上）晶圆代工产线，预计2026年动工，2028年底前投产。该项目由产业通商资源部牵头，选址忠清北道清州，依托当地已有封装测试集群，形成“制造+封测”一体化配套。工厂将优先为本土无厂（Fabless）设计公司、国防科研院及中小企业提供研发、小批量和特种芯片代工服务，目标把国防半导体外采率从99%降至60%以下，并拟立法要求国家安全设施优先采购国产芯片。政府同步设立直属总统的“半导体特别委员会”，统筹财政、税收、土地、人才等政策资源，计划到2047年前再投700万亿韩元新建十座晶圆厂，把无厂产业规模扩大十倍，形成类似台积电的代工—设计协同生态。
点评：此次投资被视为韩国在AI时代巩固存储+逻辑双轮驱动、降低对海外成熟制程依赖、强化供应链安全的关键举措，也为全球晶圆代工格局增添新的地区变量。韩国31亿美元再建成熟制程晶圆厂“40nm”定位：既避开与台积电、三星3nm血拼，又利用本土存储龙头闲置旧产线设备，折旧成本立降三成，再打“国防保密+快速迭代”牌，有望吸引欧美Fabless将韩国作为“第二源”。若十座晶圆厂计划落地，韩国将兼具存储、高端逻辑、成熟代工三重身份，全球半导体格局或现“美—韩—台”三极。对中国大陆而言，意味着成熟制程竞争从“价格”升级为“安全叙事”，需加速国产替代认证与特色工艺差异化，方能在新一轮产能扩张中守住阵地。
02
企业动态（12月11日）
欧盟委员会支持在德国建设两座芯片工厂
12月11日，欧盟委员会批准德国政府向格罗方德（GlobalFoundries）与X-FAB合计提供6.23亿欧元国家援助，用于在德国德累斯顿和埃尔福特新建两座芯片工厂。其中4.95亿欧元投向格罗方德，扩建12英寸晶圆产能，重点生产28纳米及以上车规级芯片，面向车载娱乐、ADAS、动力总成等应用；1.28亿欧元给予X-FAB，在其埃尔福特厂区建设开放式代工厂，为中小设计企业提供灵活制造服务。项目将首次在欧洲引入EUV光刻，具备14纳米及以下制程能力，预计2027-2028年投产，月产数万片晶圆，可把欧洲汽车芯片自给率从30%提升至50%以上。欧盟称该投资是《欧洲芯片法案》落地关键一步，旨在补齐“设计强、制造弱”短板，强化供应链韧性，减少对外部产能依赖，并带动设备、材料、封装等上下游集聚，助力2030年欧洲占全球半导体产能20%目标实现。
点评：欧盟称该投资是《欧洲芯片法案》落地关键一步，旨在补齐“设计强、制造弱”短板，强化供应链韧性，减少对外部产能依赖，并带动设备、材料、封装等上下游集聚，助力2030年欧洲占全球半导体产能20%目标实现。欧盟首次动用《芯片法案》大额补贴在德国“一城两厂”同时落子，看似复制亚洲模式，实则打出“汽车+开放代工”差异化牌：28 nm及以上车规产能直接对接欧洲整车厂，缩短紧缺芯片交期；14 nm EUV平台则为中小设计公司提供本土先进工艺，降低对美亚依赖。6亿欧元补贴撬动逾30亿欧元民间投资，杠杆比约1:5，符合欧盟“小补贴换大产能”财政纪律。
03
企业动态（12月11日）
Rivian推出自制AI芯片，取代英伟达技术，提升自动驾驶能力
12月11日，美国纯电皮卡制造商Rivian发布首款自研AI芯片Rivian Autonomy Processor 1（RAP1），采用台积电5纳米工艺与多芯片封装，1600 sparse INT8 TOPS算力、每秒可处理50亿像素，内存带宽达205 GB/s，性能是现役英伟达Orin平台的4倍，单车成本却下降数百美元。RAP1将驱动第三代车载电脑Autonomy Compute Module 3，配合新激光雷达与Large Driving Model，计划2026年率先在R2 SUV落地，并推出订阅服务Autonomy+，一次性收费2500美元或月费49.99美元，仅为特斯拉FSD一半。Rivian CEO表示，自研芯片可减少对外依赖、提升软硬件协同，并支持多芯片级联扩展，为2027年开放点对点导航、自动变道等L4功能奠定算力基础。面对美国电车需求放缓及中国厂商竞争，Rivian寄望“AI定义汽车”重塑技术标签，提振销量与资本市场信心。
点评：Rivian弃用英伟达、自研RAP1，是北美新势力首次在核心AI芯片“去Orin”落地，意义堪比特斯拉FSD Chip。5nm、1600 TOPS、成本降数百美元，证明其已把“算法-芯片-车型”闭环跑通；更关键的是订阅价砍半，直接对标特斯拉FSD，用硬件降本换软件渗透率，有望把单车软件收入占比从不足3%拉到10%以上，改善现金流。但风险亦明：台积电5nm产能若被苹果、高通挤占，Rivian体量小恐难优先；自研芯片需持续迭代，一旦L4推送延迟，硬件即变沉没成本；中美供应链若再遇关税波动，晶圆与封装成本优势将被吞噬。对中国车企而言，Rivian案例提示：自研AI芯片不再是“旗舰象征”，而是“成本武器”。
04
企业动态（12月12日）
台积电熊本二厂考虑升级至4纳米制程因应AI需求
12月中旬，台积电证实已暂停日本熊本第二晶圆厂（JASM Fab-2）施工，并考虑将原计划2027年投产的6/7nm主线直接升级为4nm制程，以回应AI芯片对更高能效与密度的迫切需求。消息人士指出，英伟达、苹果等主力客户正加速把产品路线挪向4/5nm以下节点，导致6/7nm产能利用率下滑，促使台积电重评技术配置。若决定升级，工厂需增配极紫外（EUV）光刻机并重新设计洁净室与管线，虽然约90%现有设备可复用，但仍可能推迟量产时点。日本政府视此案为取得本土最先进逻辑工艺的关键跳板，已承诺补贴与人才配套；台积电则评估同步导入CoWoS等先进封装，以形成“前道+后道”一站式产能，缓解AI GPU供需缺口。最终方案尚未拍板，公司仅表示“持续与客户及伙伴协商细节”。
点评：台积电拟把熊本二厂从6/7nm直升4nm，是一次“产能换跑道”的精准卡位：AI浪潮下，6/7nm需求快速被5/4nm及以下吸走，若按原计划投产，将面临开机即闲置的风险；升级后，JASM将首次在日本提供EUV先进节点，锁定英伟达、苹果下一代AI芯片的海外第二源，同时把CoWoS封装一并搬进熊本，形成“前道+后道”一站式产能，显著缩短GPU交期。对日本而言，可一次性获得本土最尖端逻辑工艺，政府补贴从“给量”转向“给技术”，撬动供应链上下游回流；对台积电，则利用日元贬值、美日同盟红利，把原本在中国大陆扩产的4nm压力转移至日本，降低地缘风险。
05
国内（12月12日）
京仪装备成功适配国内最先进192层3D NAND制造产线
京仪装备温控与废气处理设备已在国内首条192层3D NAND产线实现批量装机，成为唯一进入该节点的国产厂商。设备满足-70~120℃宽温区、±0.05℃精度及高纯废气处理需求，通过长江存储等头部客户一年期严苛验证，定义了产线目标温控曲线，保障高堆叠刻蚀、薄膜工艺良率
京仪装备此次切入192层3D NAND量产线，是国产半导体设备由“可用”走向“好用”的缩影。温控与废气处理虽属工艺辅设备，却直接决定刻蚀均匀性与薄膜缺陷密度，过去被日美厂商锁死；京仪能在-70℃至120℃、±0.05℃的极限区间稳定运行，并定义客户温控曲线，意味着国产厂商首次掌握工艺话语权，验证壁垒一旦形成，替代将呈加速态势。考虑到3D NAND层数升级对温控精度与尾气洁净度要求指数级提升，京仪的先发数据将成为后续200+层扩产招标的“入场券”，也为国产温控、真空、气体设备协同打开空间。
06
国内（12月11日）
格力电器碳化硅芯片成功拓展至新能源与工业领域
格力电器碳化硅功率芯片已完成从家电到新能源、工业及特京仪装备成功适配国内最先进192层3D NAND制造产线
种场景的跃迁。公司2022年成立珠海格力电子元器件有限公司，建成国内领先的6/8英寸SiC晶圆线，占地20万㎡，采用全自动天车+万级洁净室，年产能达数十万片，并通过IATF16949车规体系认证。产品以650V、1200V肖特基二极管及MOSFET为主，二极管全系列通过AEC-Q101认证，MOSFET部分平台完成车规验证，具备耐高压、耐高温、高效率优势。
随着新能源发电占比提升和电动汽车渗透率加速，SiC器件需求进入爆发期。格力依托家电巨头现金流与精密制造经验，将良率提升曲线压缩至行业平均周期的三分之二，1200V MOSFET量产良率已突破85%，并计划2025年推出1700V平台，布局轨道交通、电网柔直等更高电压场景。公司同步开发SiC模块封装产线，采用银烧结、铜线键合及嵌入式封装技术，将导通损耗再降8%，模块年产能规划300万只，与整车厂、光伏龙头签订长期保供协议。
07
国内（12月9日）
AMD发布EPYC Embedded 2005系列处理器
AMD 12月9日正式发布EPYC Embedded 2005系列，为业界首款采用Zen 5架构的嵌入式x86处理器，面向7×24网络、存储及工业边缘设备。三款型号全系40×40 mm BGA封装，TDP 45-75 W，最高16核32线程、64 MB L3，主频最高4.5 GHz，支持28条PCIe 5.0与DDR5-5600 Sideband ECC。官方对比Intel Xeon 6503P-B，同12核设定下基准频率提升35%，加速频率提升28%，缓存大33%，功耗仅一半，封装面积缩小2.4倍，可显著节省散热与空间成本。芯片按10年持续运行、15年软件维护设计，集成AMD Infinity Guard安全套件与增强RAS，支持BMC、热插拔及宽温0-105 ℃，满足严苛长期部署。产品已开始送样，2026 Q1量产，将为机器人、冷存储、DPU、轻量服务器等提供高能效、高扩展且生命周期明确的算力平台，加速嵌入式市场从DDR4向DDR5升级。凭借Zen 5微架构带来的IPC提升与高能效比，EPYC Embedded 2005系列有望在工业边缘计算、5G基站、智能网卡等场景快速替代传统Xeon-D方案，成为AMD巩固嵌入式数据中心份额的关键棋子。
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